格羅方德與台積電簽署氮化鎵生產技術授權協議

晶圓代工大廠格羅方德 （GlobalFoundries） 日前宣布與台積電簽署一項技術授權協議，將引進其 650V 和 80V 氮化鎵 （GaN） 技術，藉以強化格羅方德在電源應用領域的佈局，特別鎖定資料中心、工業以及汽車等高功率市場。

格羅方德表示，計劃將這項獲得授權的 GaN 技術，在其專門處理高壓 GaN-on-Silicon 技術的美國佛蒙特州伯靈頓 （Burlington, Vermont） 的晶圓廠進行驗證。另外，根據規劃，相關技術的開發工作預計將於 2026 年初啟動，並預計在 2026 年下半年開始投產。格羅方德對此強調，這項授權協議將能加速其為客戶量產下一代電源裝置的能力，並在美國本土製造。

事實上，氮化鎵技術因其較於傳統矽 CMOS 技術具備更卓越效能，正日益受到業界關注。因為它能提供更高的效率、更高功率、以及密集度，有效解決傳統矽基技術在功率系統中的性能限制。

至於，格羅方德正在積極開發氮化鎵產品，應用範圍包括電動汽車 （Electric Vehicles, EV）、 資料中心、再生能源系統、快速充電電子產品等。格羅方德電源業務資深副總裁 Téa Williams 表示，這項協議強化了格羅方德對創新的承諾，以及對差異化技術的戰略聚焦，這些技術對於我們生活、工作和連結所使用的基本電源裝置至關重要。

格羅方德強調氮化鎵可靠性的處理方式涵蓋了製程開發、元件性能和應用整合，以確保產品能適應嚴苛的工作環境。

(首圖來源：格羅方德)